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美國(guó)服務(wù)器的固態(tài)硬盤(pán)

2024-01-13    分類(lèi): 網(wǎng)站建設(shè)

固態(tài)硬盤(pán)(Solid State Drive)是美國(guó)服務(wù)器配件的硬件之一,簡(jiǎn)稱固盤(pán)。固盤(pán)基本原理SSD是最近幾年來(lái)興起的儲(chǔ)存裝置,固態(tài)硬盤(pán)用固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列而制成的硬盤(pán),由控制單元和存儲(chǔ)單元(FLASH芯片、DRAM芯片)組成。其性能方面超越傳統(tǒng)硬盤(pán)。因SSD內(nèi)部是由許多Flash Memory所組成,故傳輸速度方面比起機(jī)械裝置的傳統(tǒng)硬盤(pán)來(lái)的優(yōu)秀許多。?所以很多美國(guó)服務(wù)器硬件都會(huì)配備固盤(pán)。

美國(guó)服務(wù)器硬件固盤(pán)(Solid State Drive)的組成

一般市面上見(jiàn)到的美國(guó)服務(wù)器硬件固盤(pán)外觀與2.5”硬盤(pán)差不了多少,但固盤(pán)將外殼拆開(kāi)來(lái)看,裡面卻是一片PCB上佈滿密密麻麻的電子元件,這些電子元件其中有兩樣是組成SSD的關(guān)鍵。第一是負(fù)責(zé)存放資料的NAND Flash Memory,第二則是控制SSD的 Controller。這兩種元件關(guān)係緊密相關(guān),負(fù)責(zé)整個(gè)SSD的儲(chǔ)存、傳輸、運(yùn)作…等。

?負(fù)責(zé)存放資料的NAND Flash Memory

上面有提到NAND Flash Memory,在SSD儲(chǔ)存裝置中扮演重要角色,就是儲(chǔ)存資料的地方。傳統(tǒng)硬盤(pán)利用磁性原理來(lái)記錄資料,而NAND Flash Memory是由浮閘電晶體組成,利用電流將電子存放至浮閘電晶體當(dāng)中來(lái)記錄資料,依技術(shù)的不同又細(xì)分成單階儲(chǔ)存單元(single-level cell, SLC)、多階儲(chǔ)存單元快閃記憶體(Multi-level cell flash memory, MLC flash memory)。目前世界主要的廠商有Samsung、Toshiba、Micron、Hynix、Intel…等。

NAND Flash Memory 特性整理

無(wú)法原地直接更改資料。若要對(duì)已寫(xiě)過(guò)資料的位置再次寫(xiě)入資料時(shí),必須先執(zhí)行抹除的動(dòng)作,而一區(qū)塊抹除動(dòng)作需要的時(shí)間約為一個(gè)頁(yè)寫(xiě)入動(dòng)作時(shí)間的10~20倍。NAND Flash Memory寫(xiě)入單位為page,而抹除單位為Block。一個(gè)抹除的單位大于寫(xiě)入單位,這表示若要執(zhí)行區(qū)塊抹除動(dòng)作,必須先將欲抹除區(qū)塊中的有效頁(yè)搬移至其他區(qū)塊才可以進(jìn)行。NAND Flash Memory有抹除次數(shù)的限制。若某一區(qū)塊經(jīng)常被抹除而超過(guò)可用次數(shù)的話,會(huì)造成區(qū)塊寫(xiě)入/抹除動(dòng)作錯(cuò)誤。

?NAND Flash Memory 內(nèi)部結(jié)構(gòu)

外觀看起來(lái)不起眼且小小的一片NAND Flash memory,內(nèi)部則是利用大量的電晶體排列成一個(gè)大的陣列來(lái)存放資料。龐大的儲(chǔ)存空間也需要有系統(tǒng)的來(lái)管理,所以里頭又細(xì)分

Page : 是NAND Flash memory 讀寫(xiě)最小單位,Page裡頭又分兩個(gè)區(qū)域,分別是存放資料及存放ECC的地方。存放資料的區(qū)域大小為512Byte的倍數(shù),1Page可以為2112Byte(含ECC)、4313Byte(含ECC)...等。每種型號(hào)的Flash memory Page大小都不一樣。

Block: 是NAND Flash memory 抹除最小單位,是由多個(gè)page組合起來(lái)成為一個(gè)大的區(qū)域,Block的size的大小依照型號(hào)的不同亦有不同的Block大小。

SSD關(guān)鍵的Controller

前面有提到SSD的組成有兩個(gè)關(guān)鍵元件,這邊要講到的是SSD Controller,他必須維持SSD上的許多片的Flash Memory能正常運(yùn)作,同時(shí)也是負(fù)責(zé)Flash memory與PC端溝通的橋梁。

因?yàn)镕lash Memory存儲(chǔ)讀寫(xiě)方式與傳統(tǒng)硬盤(pán)大不相同,而目前常見(jiàn)的檔案系統(tǒng)(NTFS、FAT32、HFS+、EXT3…等)都是依照傳統(tǒng)硬盤(pán)的存儲(chǔ)讀寫(xiě)方式而設(shè)計(jì)出來(lái)的。所以SSD Controller裡有一個(gè)重要的功能就是將Flash Memory模擬成傳統(tǒng)硬盤(pán)讓Flash Memory可以直接在PC上使用。

還有上面有提到NAND Flash Memory有抹除次數(shù)限制,為了NAND Flash Memory使用壽命延長(zhǎng),Controller必須有效率讓每個(gè)Page平均寫(xiě)入,避免都是在對(duì)同一個(gè)page作讀寫(xiě)這樣會(huì)加速損耗導(dǎo)致壽命減短。不同廠商的Controller的運(yùn)算方法皆不同。

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