本次利用DDMS來測試。

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adb devices，設(shè)備連接正常

啟動App，操作一會

啟動DDMS

左側(cè)，先找到剛才操作的App，選中

然后點(diǎn)擊左上角的show heap updates

然后，右側(cè)點(diǎn)擊 VM Heap-->Cause GC（主動進(jìn)行一次垃圾清理）

關(guān)注data object-->Total Size

Used%也可以做參考，主要還是觀察 Total Size

繼續(xù)操作App

如果Total Size的值穩(wěn)定在一個(gè)有限的范圍（每次GC之后都會回落），

說明代碼良好，不存在內(nèi)存泄漏

反之，如果這個(gè)值越來越大，則說明存在內(nèi)存泄漏

如果出現(xiàn)內(nèi)存泄漏，Dump HPROF file

然后使用hprof-conv命令轉(zhuǎn)化一下，

?

把轉(zhuǎn)化后的文件，放入一個(gè)目錄

然后，使用MAT分析

打開文件

Shallow Heap排序，倒序

在第一條上，右鍵，List objects--with incoming references

再排一下序，倒序

選擇第一條，右鍵，Path To GC Roots-->倒數(shù)第二項(xiàng)

分析一下最下面那個(gè)，有可能就是問題所在，提交個(gè)開發(fā)即可

新聞標(biāo)題：APP專項(xiàng)---內(nèi)存泄漏2
本文網(wǎng)址：http://chinadenli.net/article42/geoehc.html

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