MRAM正在開發(fā)支持人工智能、物聯(lián)網和先進網絡技術的下一代嵌入式設備；在數(shù)據(jù)中心、邊緣和端點。此外獨立MRAM已經成為許多應用的重要非易失性緩存和緩沖區(qū)。為所有這些應用提供 MRAM 需要在生產環(huán)境中進行良好的MTJ設計和測試。Everspin在磁存儲器設計，制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業(yè)中是獨一無二的，為汽車、工業(yè)和軍事。云存儲等行業(yè)等提供了大量可靠優(yōu)質的MRAM，STT-MRAM存儲芯片。Everspin一級代理商接下來介紹 Everspin MRAM 器件的測試。
 
ISI在MTJ器件的設計和工廠測試方面擁有長期經驗，能夠滿足MRAM的開發(fā)和生產測試需求。他們也在創(chuàng)造新的測試和生產工具來幫助MRAM項目取得成功?？纯此麄?yōu)槭裁磻摮蔀镸RAM測試伙伴。
 
除了用于硬盤磁頭生產測試的專業(yè)產品之外，ISI是第一家為MRAM行業(yè)制造晶圓級測試器的公司，并且可能擁有大的STT-MRAM晶圓級測試器安裝基地。他們在硬盤磁頭行業(yè)的長期經驗使他們在MTJ測試方面擁有經驗，這是他們帶給新興的MRAM測試行業(yè)的經驗。
 
WLA3000  STT-MRAM 晶圓級分析儀，即第三代脈沖發(fā)生器，配有其專有的探針卡接口，可產生低至5納秒的可編程脈沖，在脈沖發(fā)生后，能夠在原位對多芯片組件進行超快測量。4點和2點靜脈/右心室測試儀可以提供脈沖和DC測量，最高可達平面內的3K奧斯特和垂直于平面的5K奧斯特。機器能夠在360度的視場角和高達150度的溫度下工作，帶有熱卡盤選項。即將推出的第四代系統(tǒng)包括對這些規(guī)格的進一步增強，包括脈沖寬度低至2nS和垂直場高達15K奧斯特
 
此外它們可以提供薄膜可靠性測試，包括擊穿電壓、耐久性和寫入概率以及讀取干擾測量，并且它們的熱鐵磁諧振(FMR)特性(使用連接到其射頻探針組件的射頻前置放大器)可以用于過程控制以及器件開發(fā)。圖1顯示了美國工業(yè)標準學會晶圓級準靜態(tài)測試儀。

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當前名稱：ISI的晶圓級MRAM測試儀-創(chuàng)新互聯(lián)
網頁網址：http://chinadenli.net/article46/pshhg.html

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